Samsung начал массовое производство памяти 512 Гб eUFS 3.0
Сегодня Samsung объявила о начале массового производства чипов памяти стандарта eUFS 3.0 емкостью 512 Гб. Сам стандарт был анонсирован чуть больше года назад, а на днях Samsung представила свой первый смартфон с гибким дисплеем Galaxy Fold, в спецификациях которого упоминается флеш-память 512 Гб UFS 3.0. И вот теперь компания официально заявляет о запуске этой памяти в серию и раскрывает её скоростные параметры. Ниже приводится таблица с характеристиками разных типов флеш-накопителей — включая 1 Тб eUFS 2.1, о запуске которого в серию Samsung объявила месяц назад:
Память
Скорость последовательного чтения
Скорость последовательной записи
Скорость случайного чтения
Скорость случайной записи
512 Гб UFS 3.0
(февраль 2019)
2100 Мб/с
410 Мб/с
63,000 IOPS
68,000 IOPS
1 Тб eUFS 2.1
(январь 2019)
1000 Мб/с
260 Мб/с
58,000 IOPS
50,000 IOPS
512 Гб eUFS 2.1 (ноябрь 2017)
860 Мб/с
255 Мб/с
42,000 IOPS
40,000 IOPS
eUFS 2.1 (сентябрь 2017)
850 Мб/с
150 Мб/с
45,000 IOPS
32,000 IOPS
256 Гб UFS (июль 2016)
530 Мб/с
170 Мб/с
40,000 IOPS
35,000 IOPS
256 Гб eUFS 2.0 (февраль 2016)
850 Мб/с
260 Мб/с
45,000 IOPS
40,000 IOPS
128 Гб eUFS 2.0 (январь 2015)
350 Мб/с
150 Мб/с
19,000 IOPS
14,000 IOPS
eMMC 5.1
250 Мб/с
125 Мб/с
11,000 IOPS
13,000 IOPS
eMMC 5.0
250 Мб/с
90 Мб/с
7,000 IOPS
13,000 IOPS
eMMC 4.5 (сентябрь 2012)
140 Мб/с
50 Мб/с
7,000 IOPS
2,000 IOPS
IOPS — операций ввода/вывода в секунду
Как видно из таблицы, даже по сравнению с новейшим накопителем 1 Тб eUFS 2.1 прирост скорости у 512 Гб UFS 3.0 довольно значительный:
-
последовательное чтение — в 2.1 раз
последовательная запись — в 1.58 раз
случайное чтение — в 1.09 раз
случайная запись — в 1.38 раз.
Одновременно с 512 Гб флешками нового стандарта, Samsung в этом месяце начинает также массовое производство 128 Гб накопителей. Серийный выпуск 256 Гб и 1 Тб eUFS 3.0 запланирован во второй половине года.
Samsung
Источник: